От каких величин зависит электропроводность фоторезистора (фотосопротивления) при освещении его светом?

Предмет: Физика
Раздел: Электричество и электромагнетизм (подраздел: Фотоэлектрические явления)

Задание:
Вопрос: От каких величин зависит электропроводность фоторезистора (фотосопротивления) при освещении его светом?

Анализ:

Фотосопротивление — это полупроводниковый прибор, сопротивление которого изменяется в зависимости от освещённости. При освещении фотосопротивления светом с энергией фотонов, превышающей ширину запрещённой зоны полупроводника, происходит генерация электронов и дырок. Это увеличивает концентрацию носителей заряда, а значит — увеличивает электропроводность.

Электропроводность фотосопротивления зависит от:

1. Частоты падающего света — потому что энергия фотона определяется как
   [E = h \nu],
   где [h] — постоянная Планка, [\nu] — частота света.
   Если [E] превышает ширину запрещённой зоны полупроводника, возникает фотогенерация носителей.

2. Освещённости фотосопротивления — чем выше освещённость (плотность потока фотонов), тем больше носителей заряда создаётся, а значит — выше проводимость.

Не зависит от:

• Напряжения, приложенного к фотосопротивлению — оно влияет на ток, но не на саму электропроводность.
• Силы тока — она является следствием электропроводности, а не причиной.

Ответ:
Правильные варианты — 1 и 3.

✅ Ответ: 1 и 3.